新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备在西安实现一次试产成功
，据科技日报报道，12月23日，由西安理工大学和西安奕斯伟设备技术有限公司共同研制的国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备在西安实现一次试产成功。
经济日报
报道称，大尺寸半导体硅单晶材料是制约我国集成电路产业发展的“卡脖子”问题。在该领域实现突破，对满足我国集成电路产业发展意义重大。
据了解，2018年起，西安理工大学刘丁教授团队与西安奕斯伟硅片技术有限公司紧密协作，双方发挥各自的技术创新和市场优势，以开发新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备及核心工艺为目标，针对7-20nm集成电路芯片要求，所研制的面向产业化应用的硅单晶生长成套设备按照集成电路硅单晶材料的要求，成功生长出直径300mm，长度2100mm的高品质硅单晶材料。实现了采用自主研发的国产技术装备，拉制成功大尺寸、高品质集成电路级硅单晶材料的重大突破并实现产业化。
西安理工大学刘丁教授团队长期从事半导体大硅片生长设备及关键工艺的研究工作，在半导体硅单晶生长领域精耕细作多年，先后主持承担了国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项目以及地方政府的科技攻关项目。（校对/小如）
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- 编辑：唐志钢
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