ARM与美国国防高级研究计划局签订三年合作协议

ARM与美国国防高级研究计划局签订三年合作协议墨香风韵 （文/隐德莱希）英国芯片设计公司ARM官方网站8月20宣布，ARM已与美国国防高级研究计划局（DARPA）签订了为期三年的合作协议。 图源：eenewseurope 这份协议也是美国电子复兴计划（ERI）的一部分。该计划

（文/隐德莱希）英国芯片设计公司ARM官方网站8月20宣布，ARM已与美国国防高级研究计划局（DARPA）签订了为期三年的合作协议。

图源：eenewseurope

这份协议也是美国电子复兴计划（ERI）的一部分。该计划启动于2017年，目的是将产业界和学术界的合作伙伴聚集在一起，促进微电子产业的四个关键领域：开发用于芯片制造的新材料、通过通硅孔垂直整合多个器件、创建芯片的定制应用以及确保芯片安全和设计的最新知识。

Arm知识产权产品部总裁Rene Haas说接受采访时说：“扩大与DARPA合作伙伴关系，将使他们能够使用最广泛的Arm技术，目标是开发由全球最大的软件生态系统支持的计算解决方案。”

业内人士普遍认为，以ERI计划为突破口，该协议将加速ARM入美出售谈判。

根据合作关系，ARM 公司的所有商业芯片设计架构和知识产权都可用于 DARPA 项目。二者还将在依靠低功耗使用的传感器等工作上进行合作，以实现持续监测。在昨天召开的 ERI 峰会上，ARM 首席执行官 Simon Segars 重点讨论了物联网（IoT）范畴的设备，以及这些设备与下一代 5G 网络的连接。

ARM 和 DARPA 还针对属于近零功率射频和传感器操作（N-Zero）计划的传感器进行合作。通过该计划，ARM 将为 1000 名 DARPA 员工提供访问其知识产权的机会。N-Zero 计划专门用于军事用途的产品，它的目标是开发能够在低功耗状态下检测光、声音和运动并长期保持休眠状态的传感器。

（校对/小山）